|
|
Modelování růstu polovodičových nanovláken
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá modelováním růstu polovodičových nanovláken. Práce obsahuje popis mechanizmu růstu pomocí metody vapor-liquid-solid (VLS). Hlavním cílem je simulace rozložení materiálu v eutektické kapce v počáteční fázi růstu. Byly vytvořeny matematické modely, které popisují různé situace difuze materiálu v kapce. Simulační model je naprogramován v prostředí MATLAB.
|
|
|
Řízení teploty nanostruktur pomocí absorpce světla
Kovács, Roland ; Schmidt,, Eduard (oponent) ; Kalousek, Radek (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá novou metodou rychlého ohříváním nanostruktur pomocí fokusovaného laserového svazku s využitím lokalizovaných plazmonů (kolektivní oscilace elektronů). Pomocí lokální změny teploty může být zahájen a precizně kontrolován růst polovodičových nanovláken na určitém místě až na úrovni atomové vrstvy v komoře při pokojové teplotě. Hlavním cílem práce je studium elektromagnetického pole ve vybraných nanostrukturách, zejména kovových nanokuličkách, pomocí numerických výpočtů a výpočet teplotního pole v blízkosti těchto osvětlených nanostruktur. Elektromagnetické jevy jsou simulovány v programu Lumerical a teplotní pole v programu COMSOL.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Příprava vysoce dopovaných ZnO nanodrátů
Andrýsek, Michal ; Macák, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou ZnO nanodrátů, jejich dopováním a analýzou. Nanodráty byly připraveny oxidací mosazné fólie za vyššího tlaku a teploty a pomocí depozice zinku v oxidační atmosféře. V práci je popsán vliv teploty a tlaku na růst těchto nanodrátů. Ukázalo se, že za jistých experimentálních podmínek lze nanodráty připravit prvním uvedeným postupem. Pomocí efúzní cely se nanodráty připravit nepodařilo.
|
|
|
Modifikace růstu nanostruktur pomocí elektronového svazku
Kilian, Jakub ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zaměřuje na rozvoj metody modifikace povrchu germania pomocí kapiček slitiny Au-Ge. K termomigračnímu pohybu kapek je využíván fokusovaný elektronový svazek, který je přiveden do těsné blízkosti kapky. Práce je rozdělena do dvou částí. První část je věnována objasnění základních principů, které je důležité znát pro správné pochopení provedených experimentů. Součástí teoretického přehledu je také představení jednotlivých přístrojů, které byly použity v experimentální části. V praktické části byl nejprve zkoumán pohyb kapek slitiny Au-Ge a výsledný tvar povrchu, který kapka zanechává po svém průchodu. Zbývající část praktického výzkumu byla zaměřena na využití fokusovaného elektronového svazku pro řízený růst nanodrátů v procesu VLS.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Příprava vysoce dopovaných ZnO nanodrátů
Andrýsek, Michal ; Macák, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou ZnO nanodrátů, jejich dopováním a analýzou. Nanodráty byly připraveny oxidací mosazné fólie za vyššího tlaku a teploty a pomocí depozice zinku v oxidační atmosféře. V práci je popsán vliv teploty a tlaku na růst těchto nanodrátů. Ukázalo se, že za jistých experimentálních podmínek lze nanodráty připravit prvním uvedeným postupem. Pomocí efúzní cely se nanodráty připravit nepodařilo.
|
|
|
Řízení teploty nanostruktur pomocí absorpce světla
Kovács, Roland ; Schmidt,, Eduard (oponent) ; Kalousek, Radek (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá novou metodou rychlého ohříváním nanostruktur pomocí fokusovaného laserového svazku s využitím lokalizovaných plazmonů (kolektivní oscilace elektronů). Pomocí lokální změny teploty může být zahájen a precizně kontrolován růst polovodičových nanovláken na určitém místě až na úrovni atomové vrstvy v komoře při pokojové teplotě. Hlavním cílem práce je studium elektromagnetického pole ve vybraných nanostrukturách, zejména kovových nanokuličkách, pomocí numerických výpočtů a výpočet teplotního pole v blízkosti těchto osvětlených nanostruktur. Elektromagnetické jevy jsou simulovány v programu Lumerical a teplotní pole v programu COMSOL.
|
|
|
Modelování růstu polovodičových nanovláken
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá modelováním růstu polovodičových nanovláken. Práce obsahuje popis mechanizmu růstu pomocí metody vapor-liquid-solid (VLS). Hlavním cílem je simulace rozložení materiálu v eutektické kapce v počáteční fázi růstu. Byly vytvořeny matematické modely, které popisují různé situace difuze materiálu v kapce. Simulační model je naprogramován v prostředí MATLAB.
|
host ::
RSS.